內(nèi)存的CAS延遲時間和存取時間之間有著密切的聯(lián)系。首先解釋一下什么是內(nèi)存的CAS延遲時間。所謂CAS延遲時間，就是指內(nèi)存縱向地址脈沖的反應時間。CAS延遲時間是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范內(nèi)存的重要標志之一。

在Intel公司的PC100內(nèi)存技術白皮書中指出：“符合PC100標準的內(nèi)存芯片應該以CAS Latency（以下簡稱CL）= 2的情況穩(wěn)定工作在100MHZ的頻率下。”CL=2所表示的意義是此時內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期當CL=3時。

內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的延遲時間就應該是三個時鐘周期，因此，這“2”與“3”之間的差別就不僅僅局限于“1”了，而是1個時鐘周期。工作在相同頻率下的同種內(nèi)存，將CL設置為2會得到比3更優(yōu)秀的性能（當然你的內(nèi)存必須支持CL=2的模式）。

為了使主板正確地為內(nèi)存設定CAS延遲時間，內(nèi)存生產(chǎn)廠商都將其內(nèi)存在不同工作頻率下所推薦的CAS延遲時間記錄在了內(nèi)存PCB板上的一塊EEPROM上，這塊芯片就是我們所說的SPD。當系統(tǒng)開機時，主板BIOS會自動檢測SPD中的信息并 終確定是以CL=2還是CL=3來運行。