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场效应晶体管及其驱动电路
来源： 日期：2013-12-18 13:59:33 人气：标签：
(1)场效应晶体管
场效应管(mosfet)与双极型晶体管相比，具有如下优点：①电压驱动，且驱动功率�。虎谑嵌嗍亓髯庸ぷ髌骷厮俣瓤�，无“二次”击穿，热稳定性好。因此，场效应管是一种适应开关电源小型化、高效率化和高可靠性要求的理想器件。
下图中，源极跨在两个半导体区上，n型管箭头向左，表示载流子电子从源极出发；p型管箭头向右表示载流子空穴从源极出发。无论哪一型管子都是利用多数载流子导电（双极型晶体管是包含少数载流子导电的），不存在载流子导电和多余载流子复合表现出来的存储时间，因此，动作快，频率高，不存在二次击穿。
在有限管子直接并联时，由于具有正温度系数，可以自动均衡电流（双极型晶体管则是具有负温度系数，所以并联要采取均流措施），不会产生过热点。这些都是mosfet（场效应管）管的优点。
使用mosfet功率管比使用双极型晶体管可得到更多的好处。特别当器件用在高频时（一般在100khz或更高），mosfet（场效应管）的突出优点更会显现出来。
(2)电路的基本形式
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直接驱动又包括如下具体形式：
a．用ttl驱动mosfet�？砂瓷贤妓荆胻tl驱动mosfet。
另一种驱动mosfet的方法是使用专用的集成化缓冲器。下图中的ds0026，便是其中一例。
b．用cmos电路驱动mosfet。由于mosfet有很高的输入阻抗，所以可考虑用cmos电路直接驱动其栅极，如下图所示。
c．用线性互补电路驱动mosfet。用线性运算放大器来直接驱动mosfet，受限制的因素主要是运算放大器的回扫时间较长，因此，采用这种驱动方式的工作频率限于25 khz以下。为了改善频带宽度和回扫速度稍慢的问题，可插入一个射极跟随器，如下图所示。
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驱动共漏极mos -fet的另一类电路是，利用变压器耦合，如下图所示。
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