IGBT管过电压�；さ缏�

★★★★★【文章导读】：IGBT管过电压�；さ缏肪咛迥谌菔牵孩倬驳缇刍谡ぜ缛萆弦鸸缪�。②电容密勒效应引起的栅极过电压。为了防止igbt管的栅极一发射极间出现过电压，应在igbt管的栅极与发射极间并接一只几十千欧的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。(2)集电极与发…

来源：日期：2013-12-5 10:32:57 人气：标签：

　�、倬驳缇刍谡ぜ缛萆弦鸸缪埂�

　　②电容密勒效应引起的栅极过电压。

　　为了防止igbt管的栅极一发射极间出现过电压，应在igbt管的栅极与发射极间并接一只几十千欧的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

　　(2)集电极与发射极间的过电压�；�
　　
　　igbt管的集电极一发射极过电压的产生主要有两种情况：一种是施加到igbt管的集电极一发射极间的直流电压过高；另一种为集电极一发射极上的浪涌电压过高。

　　对于igbt管关断过电压和续流二极管反向恢复过电压，采用缓冲电路是抑制集电极一发射极间过电压的有效措施�；撼宓缏分阅芗跣gbt管集电极一发射极间的过电压，是因为它给回路电感提供了泄能回路，降低了回路电感上电流的变化率。抑制过电压的器件有：

　�、俳鹗粞趸镅姑舻缱�。金属氧化物压敏电阻是一种良好的电压尖峰抑制器件，它的响应时间为毫秒级，能抑制宽度很窄的尖峰电压。金属氧化物压敏电阻具有通流容量大(500～5000a)，平均漏电流小（几微安），使用电压范围宽(30～1500v)，体积小，可靠性高且价格便宜等特点。但它能抑制的尖峰电压宽度不能过大，否则压敏电阻将会因功耗过大而烧坏。

　�、诓⒃谥绷髂赶呱系奈薷械缛�。在由r、c、vd构成的放电阻止型缓冲电路中，要选择高频特性好的无感电容器作为缓冲电容，选择过渡正向电压低、反向恢复时间短、反向恢复特性软的二极管作为缓冲二极管�；撼宥艿姆聪蚰脱辜胺逯嫡虻缌饕雐gbt管的额定电压及额定电流相当。

　　(3)直流过电压
　　
　　直流过电压产生的原因是；输入交流电源或igbt管的前一级输入发生异常，解决的办法是：在选取ig-bt管时进行降额设计。另外，也可在检测出这一过电压时关断igbt管的输入，保证igbt管的安全。

　　(4)浪涌过电压
　　
　　由于电路中分布电感的存在，加之igbt管的开关速度较高，当igbt管关断时与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压(ldi/dt)，威胁igbt管的安全。通常igbt管的浪涌电压波形如下图所示。在图中，uce为igbt管集电极一发射极间的电压，ic为igbt管的集电极电流，ud为输入igbt管的直流电压。浪涌电压峰值ucesp为：

　　如果ucesp超出igbt管的集电极一发射极间的耐压值uces，就可能损坏igbt管。

　　抑制浪涌电压的方法主要有:　

　�、僭谘∪gbt管时考虑设计裕量。

　　②在电路设计时调整ig-bt管驱动电路的栅极电阻pg，使di/dt尽可能小。

　�、劬×拷缃獾缛菘拷黫gbt管安装，以减小分布电感。

　�、芨萸榭黾幼盎撼灞；さ缏�，旁路高频浪涌电压。

　　(5)igbt管开关过程中的过电压
　　
　　igbt管关断时，其集电极电流的下降率较高，尤其是在短路故障的情况下，如不采取软关断措施，它的临界电流下降率将达到数千安每微秒。极高的电流下降率将会在主电路的分布电感上感应出较高的过电压，导致igbt管关断时电流、电压的运行轨迹超出它的安全工作区而损坏。

　　所以，从关断的角度考虑，希望主电路的电感和电流下降率越小越好。但对于igbt管的开通来说，集电极电路的电感有利于抑制续流二极管的反向恢复电流和电容器充、放电造成的峰值电流，能减小开通损耗，承受较高的开通电流上升率。一般情况下，igbt管开关电路的集电极不需要串联电感，其开通损耗可以通过改善栅极驱动条件来加以控制。

【看看这篇文章在百度的收录情况】