芯片是核心，由半导体硅材料扩散而成，有单极性和双极性两种结构。单极性有一个pn结，如下图(a)所示；双极性有两个pn结，如下图(b)所示。　　

　　瞬态电压抑制二极管的工作原理是：利用pn结的齐纳击穿特性而工作的，每一个pn结都有自己的反向击穿电压ub。例如：ub为200v，当施加到pn结的反向电压小于200v时，电流不导通；而当施加到pn结的反向电压高于200v时，pn结快速进入击穿状态，有大电流通过pn结，而ub电压限制在200v附近。根据这个道理，瞬态电压抑制二极管在电路中有浪涌电压产生时，可将高压脉冲限制在安全范围，而允许瞬间大电流旁路。

　　因此，瞬态电压抑制二极管可用于电路过压保护。双极性的芯片从结构上讲不是简单由两个背对背的单极芯片串联而成的，而是利用现代半导体加工技术在同一硅片的正反两个面上制作两个背对背的pn结，用于双向过压保护。瞬态电压抑制二极管芯片的pn结经过玻璃钝化保护，管体由改性环氧树脂模塑而成。它具有：体积小、峰值功率大、抗浪涌电压的能力强、击穿电压特性曲线好、齐纳阻抗低、双向电压对称性好、反向漏电流小，以及对脉冲的响应时间快等特点，适合在恶劣的环境条件下工作，是一种理想的防雷电保护器件。

　　双向瞬态抑制二极管的几种典型的保护电路如下图所示。

相关文章

• 上一篇： 片状快速恢复二极管
• 下一篇： 片状发光二极管(LED)