由于現在經濟的快速發展，能源的消耗也是急劇增加，我們如何去減少能源的損耗做到節能減排?這就要求我們的產品有一個更高的效率，更低的成本。而對于一個高性能的系統來說，半導體器件的選擇尤為重要。今天我給大家介紹的就是英飛凌一個新的逆向導通型igbt。我們知道傳統的igbt，二極管和igbt是分開的兩個晶圓，而這一款新的逆向導通型igbt是將二極管和igbt集成在同一個晶圓上面，它們有相同的電流等級。新的逆向導通型igbt引用了哪些技術呢?首先的話，它引入了場終止技術，也就是它大大的減小了晶圓的厚度，使它有一個非常低的飽和導通壓降，從而提高了整體的效率。第二點是引入了一個溝道柵技術，進一步減少了飽和導通壓降，因為飽和導通壓降是由載流子的濃度來決定，而引入溝道柵相當于為載流子引入了一個通道，使它的飽和導通壓將進一步減小，從而減小導通損耗。第三是引用了一個逆向導通型二極管，將這個二極管集成在igbt里面可以大大減少它的體積。

    目前這種逆向導通型igbt有兩種封裝形勢，一種是ipak封裝，另外是dpak封裝，電流有4安、6安、10安和15安四個等級。它主要的特點就是有非常低的價格，還有節省空間。半導體器件它的成本主要取決于兩個方面，一個是它的晶圓，減少晶圓的數量，從兩個晶圓減少到一個晶圓可以減少成本。另外的話，這種t0220的封裝還有這種d2park封裝可以減少成ipark封裝和dpark封裝，同時減少封裝的成本，減少了封裝的話同樣會減少它的空間，但是減少了晶圓的話會不會對它的性能造成影響?首先我們來看一下，同樣它有一個非常低的飽和導通壓降，對它的性能絲毫沒有任何影響。另外可以通過改變門級驅動電阻，在寬范圍調節它的開通和關斷的時間，有一個非常好的emi效果，非常平滑的開關波形，5us的短路保護能力， 高結溫可以達到175度。這個是這種逆向導通型igbt的主要參數，這個是它的擊穿電壓，這個是它的電流，這是175度飽和導通壓降，這是開關的能力，這是短路保護的能力，這是它的門級驅動電壓，基本上對于一個200w的產品可以選擇4安的igbt，600w的話可以選擇一個6安的，1000w可以選擇一個10安的，1500w的可以選擇15w的產品。

    從功率密度來說如果選用這種小封裝的ipark產品去取代to220封裝的話，面積可以減少75%，高度可以減少49%。而用這種dpark封裝產品的話，如果去取代d2park這種產品，它的面積可以減少63%，高度同樣可以減少到49%。

    這是一個實際的pcp板上的igbt的圖，我們看到如果用d2park的話，它兩顆的面積大概在2.5厘米，而如果使用dpark封裝的話可以減少到1.5厘米左右，同時它跟igbt模塊來相比的話可以節省0.5個美金的成本，所以對于一些消費類市場低成本的產品這個相當重要的。

    總結一下igbt的重要特點，一個是成本，因為它采用的是一個晶圓，所以它的成本有很大的優勢;另外因為減少了它的封裝，可以給pcb留下更多的空間，進一步提高產品的功率密度。同時它也有一個非常好的性能，非常低的飽和導通壓降，一個非常軟的開關特性對emi非常有幫助，它還有一個很好的溫度特性， 高溫度可以達到175度。藍色曲線是逆向導通型igbt和目前to220封裝的飽和導通壓降的比較。這是用一個6安的產品在做比較，當這個電流在6安的時候可以看到飽和導通壓降非常的低。

    衡量一個igbt的好壞有兩個非常重要的指標，一個就是它的飽和導通壓降，就是vce(sat)，另外一個就是開關損耗，也就是eoff。對于低頻的應用來說，飽和導通壓降是占有絕對支配地位的，所以選擇這種rc-drives的igbt會是一個非常好的選擇，因為可以看到這種rc-drives igbt的飽和導通壓降是遠遠低于市面上的一些產品。這個是在一個無刷電機上面的損耗的分析。

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