ldo 是一種線性穩壓器。線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 fet，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mv 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的 小值。正輸出電壓的ldo(低壓降)穩壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設備)作為 pnp。這種晶體管允許飽和，所以穩壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mv 左右;與之相比，使用 npn 復合電源晶體管的傳統線性穩壓器的壓降為 2v 左右。負輸出 ldo 使用 npn 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 ldo 的 pnp設備類似。

    更新的發展使用 mos 功率晶體管，它能夠提供 低的壓降電壓。使用 功率mos，通過穩壓器的唯一電壓壓降是電源設備負載電流的 on 電阻造成的。如果負載較小，這種方式產生的壓降只有幾十毫伏。

    dc-dc的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉換)，只要符合這個定義都可以叫dcdc轉換器，包括ldo。但是一般的說法是把直流變(到)直流由開關方式實現的器件叫dcdc。

    ldo是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降(ldo)線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。新的ldo線性穩壓器可達到以下指標：輸出噪聲30μv，psrr為60db，靜態電流6μa(ti的tps78001達到iq=0.5ua)，電壓降只有100mv(ti量產了號稱0.1mv的ldo)。 ldo線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在于其中的調整管是用p溝道mosfet，而普通的線性穩壓器是使用pnp晶體管。p溝道mosfet是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方面，采用pnp晶體管的電路中，為了防止pnp晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低;而p溝道mosfet上的電壓降大致等于輸出電流與導通電阻的乘積。由于mosfet的導通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。

    如果輸入電壓和輸出電壓很接近， 好是選用ldo穩壓器，可達到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉換為3v輸出電壓的應用中大多選用ldo穩壓器。雖說電池的能量 後有百分之十是沒有使用，ldo穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。

    如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關型的dcdc了，因為從上面的原理可以知道，ldo的輸入電流基本上是等于輸出電流的，如果壓降太大，耗在ldo上能量太大，效率不高。

    dc-dc轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。dc-dc轉換器的優點是效率高、可以輸出大

    電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型dc-dc轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。

    近幾年來，隨著半導體技術的發展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低，體積越來越小。由于出現了導通電阻很小的mosfet可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率fet。例如對于3v的輸入電壓，利用芯片上的nfet可以得到5v/2a的輸出。其次，對于中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關頻率提高到1mhz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、pfm或者pwm方式選擇等。

    總的來說，升壓是一定要選dcdc的，降壓，是選擇dcdc還是ldo，要在成本，效率，噪聲和性能上比較。