每個(gè)放大器的射頻輸入電平典型值為20W~25W．TL1、C1、C2使輸入阻抗匹配在50Ω．并通過模塊微調(diào)使相移保證為一標(biāo)稱值，以使所有的模塊同相合成。然后，射頻信號(hào)送到一個(gè)9:1的同軸變壓器T1上，其分離相位為O和180的兩個(gè)輸出以驅(qū)動(dòng)一對(duì)推挽射頻MOS-FET放大器（Ql和Q2），Ql和Q2的偏壓和Tl的次級(jí)中心抽頭連接，它被旁路到地。
　　
　　在電壓駐波比很高或需要關(guān)閉射頻的情況下．VG的輸入控制電壓用于關(guān)斷MOS-FET，MOS-FET的柵極偏壓是由來自于PA控制器板的VG（柵極電壓）來設(shè)定的。如果VG為-18V．則放大器將被關(guān)斷．如果VG為ov．則放大器為全開。IPA的驅(qū)動(dòng)能力決定了放大器的輸出功率。
　　
　　對(duì)于IPA．VG來自于支持板且受主控制器板的APC環(huán)控制，輸入到IPA的激勵(lì)器驅(qū)動(dòng)是固定的，IPA的輸出將控制PA和發(fā)射機(jī)的輸出功率。IPA的輸出是由改變加到IPA的柵極電壓(VG)來控制的，通過使用發(fā)射機(jī)前面板上的RAISE（提高）和LOWER（降低）控制鍵來提高和降低APC參考電壓。
　　
　　MOS-FET的輸出在一個(gè)1:4的變壓器中合成．C19、C20將PA輸出端的50Ω負(fù)載阻抗與T2的輸出阻抗精確匹配。直流電源由Cll、C12、C13、C14、C16、C24、Ll和L2進(jìn)行去耦合濾波，然后通過T2的初級(jí)中心抽頭加到MOS-FET上并通過同軸電纜輸出射頻．無須隔直流電容。射頻 大輸出為425W,典型輸出為300W~340W。