pin管的結構：在p型半導體和n型半導體之間夾著一層本征半導體。因為本征層相對于p區和n區是高阻區這樣，pn結的內電場就基本上全集中于 i 層中。　　

　　i層很厚，吸收系數很小，入射光很容易進入材料內部被充分吸收而產生大量電子 - 空穴對，因而大幅度提高了光電轉換效率，從而使靈敏度得以提高。兩側p層和n層很薄，吸收入射光的比例很小，i層幾乎占據整個耗盡層， 因而光生電流中漂移分量占支配地位，從而大大提高了響應速度。

　　i層所起的作用:

　　本征層的引入，明顯增大了p+區的耗盡層的厚度，這有利于縮短載流子的擴散過程。耗盡層的加寬，也可以明顯減少結電容cj,從爾使電路常數減小。同時耗盡加寬還有利于對長波區的吸收。

　　性能良好的pin光電二極管，擴散和漂移時間一般在10-10 s數量級，頻率響應在千兆赫茲。實際應用中決定光電二極管的頻率響應的主要因素是電路的時間常數。合理選擇負載電阻是一個很重要的問題。